SiC MOSFET транзисторы Типы корпусов ТО-247 1700 Kb Каталог SiC MOSFET .pdf Параметры приборов Прибор VDS Id , Tc=25℃ RDS(on) Тип корпуса G1M080120BM 1 200V 40 A 80 mΩ ТО-247
