SiC MOSFET транзисторы
Типы корпусов
Параметры приборов
| Прибор |
VDSS |
IF |
RDS(on) |
ton |
toff |
Rth JC |
Тип корпуса |
| TС ≤ 100 oC |
TС = 25 oC |
Tj = 25 oC |
| [В] |
[А] |
[А] |
[мОм] |
[нс] |
[нс] |
[oC/Вт] |
| КТП209-15Х-6
|
650 |
15 |
21 |
120 |
35 |
37 |
1,12 |
TO-247 |
| КТП207-20Х-6
|
20 |
29 |
120 |
53 |
79 |
0,70 |
TO-220 |
| КТП209-20Х-6
|
21 |
30 |
80 |
42 |
43 |
0,86 |
TO-247 |
| КТП209-45Х-6
|
49 |
70 |
30 |
63 |
75 |
0,44 |
| КТП209-65Х-6
|
65 |
93 |
22 |
78 |
96 |
0,34 |
| КТП209-80Х-6
|
83 |
118 |
17 |
74 |
95 |
0,27 |
| КТП109-7Х-9
|
900 |
7,5 |
11,5 |
280 |
36 |
25 |
2,3 |
| КТП109-15Х-9
|
15 |
23 |
120 |
37 |
33 |
1,3 |
| КТП109-20Х-9
|
23 |
36 |
65 |
46 |
32 |
1,0 |
| КТП109-7Х-12
|
1200 |
7 |
10 |
450 |
36 |
72 |
1,36 |
| КТП109-10Х-12
|
10 |
14 |
280 |
38 |
76 |
1,07 |
| КТП109-12Х-12
|
12 |
17 |
160 |
32 |
49 |
1,12 |
| КТП109-15Х-12
|
16 |
22 |
160 |
48 |
94 |
0,70 |
| КТП109-20Х-12
|
22 |
31 |
80 |
37 |
53 |
0,70 |
| КТП109-25Х-12
|
28 |
40 |
80 |
71 |
98 |
0,44 |
| КТП109-35Х-12
|
39 |
55 |
40 |
60 |
73 |
0,44 |
| КТП109-40Х-12
|
40 |
60 |
40 |
67 |
54 |
0,34 |
| КТП109-50Х-12
|
51 |
72 |
30 |
66 |
90 |
0,34 |
| КТП109-60Х-12
|
60 |
90 |
25 |
46 |
57 |
0,24 |
| КТП109-65Х-12
|
67 |
95 |
22 |
73 |
95 |
0,27 |
| КТП108-2Х-17
|
1700 |
2,9 |
4 |
1150 |
37 |
109 |
2,65 |
TO-268 |
| КТП109-3Х-17
|
3,5 |
5 |
1000 |
16,5 |
71 |
1,70 |
TO-247 |
| КТП108-4Х-17
|
4 |
5,9 |
750 |
43 |
104 |
2,04 |
TO-268 |
| КТП109-45Х-17
|
48 |
72 |
45 |
85 |
66 |
0,22 |
TO-247 |
